ఇండియం నీటితో చురుకుగా చర్య జరపదు. అయితే హలోజనులు, ఆక్సాలిక్ ఆమ్లం వంటి వాటి బలమైన ఆక్సీకరణ కారకం (oxidising agent) వలన In, (ఇండియం (ΙΙΙ) సమ్మేళనాలను ఏర్పరచును.ఇండియం బోరాన్, సిలికాన్, లేదా కార్బన్ వంటి మూలకాలతో రసాయనిక చర్యలో పాల్గొనదు.ఇండియం, హైడ్రోజన్ లమధ్య రసాయనిక చర్య జరగడంచూడనప్పటికి, In +, In హైడ్రైడులు ఉనికిలో ఉన్నాయి.అధిక ఉష్ణోగ్రత వద్ద అక్సిజనుతో చర్య జరగడం వలన ఇండియం (III) ఆక్సైడ్ ఏర్పడును.

ఇది ద్విశ్వభావయుత (amphoteric) సమ్మేళనం. అనగా అటు ఆమ్లాలతోనూ, ఇటు క్షారాలలోను చర్య జరుపును. ఇండియం నీటితో చర్య జరపడం వలన నీటిలో కరుగని ఇండియం (ΙΙΙ) హైడ్రోక్సైడ్ (In (OH) ) ఏర్పడును.ఇండియం (ΙΙΙ) హైడ్రోక్సైడ్ కుడా ద్విశ్వభావయుతం కావడం వలన ఇది కుడా అటు ఆమ్లం తోనూ, ఇటు క్షారముతోనూ రసాయనిక చర్య జరుపి, క్షారాలతో ఇండేట్స్ (indates), ఆమ్లాలతో ఇం డియం (III) లవణాలను ఏర్పరచును.

In (OH) + 2 NaOH → 2 Na[InO] + HO

In (OH) + 3 HCl → InCl + 3 HO

సోడియం ఇండేట్ (III) జల విశ్లేషణ (hydrolysis) చెందటం వలన బలహీన ఇండిక్ ఆమ్లం (HInO) ఏర్పడును. ఇండియం యొక్క లవణాలలో ఇండియం క్లోరైడు, ఇండియం సల్ఫేట్, ఇండియం నైట్రేట్‌లు నీటిలో కరుగును. నీటిలో In, [InO2] ఆయాన్‌లు జలవిశ్లేషకము వలన InOH, HInO లను ఏర్పరచును.In3+ అయాను వర్ణ రహితం, పరమాణువు యొక్క d, f గదులలో ఒంటరి ఎలక్ట్రానులు లేకపోవటమే ఇందుకు కారణం.

ఇండియం (I) సల్ఫైడ్, ఇండియం, సల్ఫరు లమధ్య రసాయనిక చర్య వలన, లేదా ఇండియం, హైడ్రోజన్ సల్ఫైడ్ మధ్య 700-1000 °C వద్ద చర్య జరగడం వలన ఏర్పడును.అలాగే ఇండియం (I) ఆక్సైడ్ అనునది 850 °C వద్ద కార్బన్ డై ఆక్సైడ్/బొగ్గుపులుసు వాయువుతో చర్యవలన, లేదా 1200 °C వద్ద ఇండియం ( III) ఆక్సైడ్ వియోగం/విచ్చేదం చెందటం వలన ఏర్పడును.

అతి అరుదుగా మధ్యస్థ ఆక్సీకరణ స్థాయి ఇండియం-ఇండియం బంధాలున్న సమ్మేళనాలాలో, ముఖ్యంగా InX, [InX] హలైడులలో కన్పించును.

ఇవి కాకుండగా ఇండియం (I), ఇండియం (III) లలో కలిసి ఏర్పడిన In (InCl) Cl, In (InBr) (InBr), InnBr వంటిపలు సమ్మేళనాలు ఉన్నాయి.
మౌలిక సమాచారం
స్వాభావిక లభ్యత
ఇండియం సమ్మేళనాలు
పదోత్పత్తి